Giới thiệu về chất nền gốm đồng liên kết trực tiếp (DBC).

Quá trình cơ chất gốm DBC là thêm các nguyên tố oxy giữa đồng và gốm, thu được chất lỏng eutectic Cu-O ở nhiệt độ 1065 ~ 1083 ° C, sau đó phản ứng để có được pha trung gian (CualO2 hoặc Cual2O4), do đó để nhận ra sự kết hợp của tấm Cu và luyện kim hóa chất nền gốm, và cuối cùng thông qua công nghệ in thạch bản để đạt được sự chuẩn bị mẫu, tạo thành một mạch.

Chất nền PCB gốm được chia thành 3 lớp và vật liệu cách điện ở giữa là AL2O3 hoặc ALN. Độ dẫn nhiệt của Al2O3 thường là 24 W/(M · K) và độ dẫn nhiệt của ALN là 170 W/(M · K). Hệ số giãn nở nhiệt của chất nền gốm DBC tương tự như AL2O3/ALN, rất gần với hệ số giãn nở nhiệt của vật liệu epiticul cơ chất.

Công lao :

Bởi vì lá đồng có độ dẫn điện tốt và độ dẫn nhiệt, và alumina có thể kiểm soát hiệu quả sự giãn nở của phức hợp Cu-al2o3-Cu, do đó, chất nền DBC có hệ số giãn nở nhiệt tương tự như alumina, DBC có lợi thế Độ dẫn nhiệt, cách nhiệt mạnh và độ tin cậy cao, và đã được sử dụng rộng rãi trong bao bì IGBT, LD và CPV. Đặc biệt là do lá đồng dày (100 ~ 600μm), nó có những lợi thế rõ ràng trong lĩnh vực đóng gói IGBT và LD.

Không đủ :

.

.

Trong quá trình chuẩn bị chất nền DBC, nhiệt độ eutectic và hàm lượng oxy cần được kiểm soát nghiêm ngặt, và thời gian oxy hóa và nhiệt độ oxy hóa là hai thông số quan trọng nhất. Sau khi lá đồng được oxy hóa trước, giao diện liên kết có thể tạo thành đủ pha CuxOy với giấy gốm và đồng Al2O3 ướt, với cường độ liên kết cao; Nếu lá đồng không bị oxy hóa trước, độ ẩm của Cuxoy kém, và một số lượng lớn các lỗ và khiếm khuyết sẽ vẫn ở trong giao diện liên kết, làm giảm độ bền liên kết và độ dẫn nhiệt. Đối với việc chuẩn bị các chất nền DBC sử dụng gốm ALN, cũng cần phải oxy hóa trước các chất nền gốm, tạo thành màng AL2O3 và sau đó phản ứng với lá đồng cho phản ứng eutectic.