Giới thiệu về chất nền gốm in màng dày (TPC)

Chất nền gốm in màng dày (TPC) là phủ bột kim loại trên đế gốm bằng cách in màn hình, sau đó thiêu kết ở nhiệt độ cao (thường là 850 ° C ~ 900 ° C) để chuẩn bị chất nền TPC sau khi sấy khô.

Chất nền TFC có một quy trình chuẩn bị đơn giản, yêu cầu thấp đối với thiết bị và môi trường chế biến, và có lợi thế của hiệu quả sản xuất cao và chi phí sản xuất thấp. Nhược điểm là do giới hạn của quá trình in màn hình, chất nền TFC không thể có được các đường chính xác cao (khoảng cách/khoảng cách dòng tối thiểu> 100 m). Tùy thuộc vào độ nhớt của dán kim loại và kích thước lưới của lưới, độ dày của lớp mạch kim loại được chuẩn bị thường là 10 μM ~ 20 μm. Nếu bạn muốn tăng độ dày của lớp kim loại, nó có thể đạt được bằng cách in nhiều màn hình. Để giảm nhiệt độ thiêu kết và cải thiện cường độ liên kết giữa lớp kim loại và chất nền gốm trống, một lượng nhỏ pha thủy tinh thường được thêm vào hỗn hợp kim loại, sẽ làm giảm độ dẫn điện và độ dẫn nhiệt của lớp kim loại. Do đó, các chất nền TPC chỉ được sử dụng trong bao bì của các thiết bị điện tử (như thiết bị điện tử ô tô) không yêu cầu độ chính xác mạch cao.

Công nghệ chính của chất nền TPC nằm ở việc chuẩn bị dán kim loại hiệu suất cao. Bột kim loại chủ yếu bao gồm bột kim loại, chất mang hữu cơ và bột thủy tinh. Các kim loại dẫn có sẵn trong dán là Au, Ag, Ni, Cu và Al. Bột nhão dẫn bằng bạc được sử dụng rộng rãi (chiếm hơn 80% thị trường Dán kim loại) do độ dẫn điện và nhiệt cao và giá tương đối thấp. Nghiên cứu cho thấy kích thước hạt và hình thái của các hạt bạc có ảnh hưởng lớn đến hiệu suất của lớp dẫn điện và điện trở suất của lớp kim loại giảm khi kích thước của các hạt bạc hình cầu giảm.

Người mang hữu cơ trong dán kim loại xác định tính lưu động, độ ẩm và cường độ liên kết của dán, ảnh hưởng trực tiếp đến chất lượng in màn hình và độ nhỏ gọn và độ dẫn của màng thiêu kết sau này. Thêm frit thủy tinh có thể làm giảm nhiệt độ thiêu kết của dán kim loại, giảm chi phí sản xuất và ứng suất cơ chất PCB bằng gốm.